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描述:產(chǎn)品簡(jiǎn)介:1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究
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134產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣 CVD 系統(tǒng) OTF-1200X-4-C4LV 是專門為在金屬箔表面生長(zhǎng)薄膜 而設(shè)計(jì)的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。
產(chǎn)品型號(hào) | 1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣 CVD 系統(tǒng) OTF-1200X-4-C4LV |
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。 1、水:不需要 2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氣體,需自備氣瓶氣源 4、工作臺(tái): 尺寸 1600mm×600mm×700mm ,承重 150kg 以上 5、通風(fēng)裝置:需要 |
主要特點(diǎn) | 1、采用高純氧化鋁保溫材料,保證了的溫度均勻性。 2 、內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口氧化鋁涂層,可以提高反射率和保護(hù)爐膛潔凈度。 3 、采用 PID 控制器 ,可以設(shè)置 30 段升降溫程序。 4、金屬箔纏繞在內(nèi)管的外表面上發(fā)生 CVD 反應(yīng)。 |
5、采用雙管真空密封法蘭,允許反應(yīng)氣體通過兩管之間( 10mm 間隙)。 6、冷卻氣體直接通入內(nèi)管。 |
7 、配有帶 KF25 快接和波紋管的高速機(jī)械泵。 8、爐底部裝有滑軌,爐體可從一端滑向另一端, 從而實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫。為了獲得較快的 加熱速度, 可以先將爐體預(yù)熱, 然后滑至放置樣品處; 為了獲得較快的冷卻速度, 可將爐 體滑至另一端,同時(shí)將冷氣通入樣品所在處。 | |
9、密封法蘭系統(tǒng)采用不銹鋼制作。 10 、已通過 CE 認(rèn)證。 | |
技術(shù)參數(shù) | 管式爐 1 、電源: 單相 AC 208V-240V 50Hz/60Hz 2.5KW (20A 保險(xiǎn)絲) 2、石英管: 外管外徑 ?100mm ,內(nèi)徑 ?96mm ,長(zhǎng) 1400mm |
內(nèi)管外徑 ?80mm ,內(nèi)徑 ?75mm ,長(zhǎng) 1400mm 3、加熱元件: 摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲(表面涂有氧化鋯) 4、加熱區(qū)域: 440mm 5、恒溫區(qū)域: 120mm (± 1℃在 400℃-1100℃) | |
6 、工作溫度: 1100℃ ,連續(xù)工作 1000℃ 7、升降溫速率: 20℃/min 8、控溫精度:± 1℃ 9、真空度: 10-3torr (機(jī)械泵), 10-5torr (分子泵) | |
質(zhì)量流量混氣系統(tǒng) | |
1、質(zhì)子流量計(jì): 4 路精密質(zhì)子流量計(jì),數(shù)字顯示,氣體流量自動(dòng)控制 MFC1 范圍 0-100sccm,MFC2 范圍 0-200sccm,MFC3 范圍 0-200sccm,MFC1 范圍 0-500sccm 2、流量精度: 0.2% 3、氣路: 4 路(每個(gè)氣路都有一個(gè)獨(dú)立的不銹鋼針閥控制) 4、進(jìn)出氣口: 1/4"卡套 |
5、混氣罐: 1 個(gè) | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 尺寸: 管式爐 550mm×380mm×520mm ,移動(dòng)架 600mm×600mm×597mm 重量: 135kg |
可選配件 | 1、分子泵 2、雙溫區(qū)管式爐 |
3、銅箔(生長(zhǎng)石墨烯 150mm×150mm×25µm) |
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